| 标题 |
  Characterization of different-Al-content AlxGa1−xN/GaN heterostructures and high-electron-mobility transistors on sapphire 蓝宝石上不同Al含量的AlxGa 1 −xN/GaN异质结构和高电子迁移率晶体管的表征
相关领域
异质结
材料科学
跨导
高电子迁移率晶体管
蓝宝石
光电子学
电子迁移率
光致发光
化学气相沉积
晶体管
表面粗糙度
光学
复合材料
电气工程
激光器
物理
电压
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 作者：S. Arulkumaran; T. Egawa; H. Ishikawa; T. Jimbo 出版日期：2003-03-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
不潮薯饼
Criminology34
GingerF
Samuel
OK
MchemG
学术文献互助
嘻嘻哈哈
LB
wwwwyx
竹青
Nole
haijun
小荷才露尖尖角
lcc
斯文的初蝶
cdercder
sanvva
yjh123
皖公网安备34019202002308
