| 标题 |
  Characterization of different-Al-content AlxGa1−xN/GaN heterostructures and high-electron-mobility transistors on sapphire 蓝宝石上不同Al含量的AlxGa 1 −xN/GaN异质结构和高电子迁移率晶体管的表征
相关领域
异质结
材料科学
跨导
高电子迁移率晶体管
蓝宝石
光电子学
电子迁移率
光致发光
化学气相沉积
晶体管
表面粗糙度
光学
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电气工程
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物理
电压
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 作者：S. Arulkumaran; T. Egawa; H. Ishikawa; T. Jimbo 出版日期：2003-03-28 |
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