| 标题 |
Recent Advancements in N-polar GaN HEMT Technology N极GaN HEMT技术的最新进展
相关领域
高电子迁移率晶体管
极地的
材料科学
光电子学
工程物理
工程类
电气工程
物理
天文
晶体管
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Crystals 作者:Emre Akso; Kamruzzaman Khan; Henry Collins; Boyu Wang; Robert Hamwey; et al 出版日期:2025-09-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|