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 Reconfigurable Radio‐Frequency High‐Electron Mobility Transistors via Ferroelectric‐Based Gallium Nitride Heterostructure 基于铁电氮化镓异质结构的可重构射频高电子迁移率晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
异质结
氮化镓
铁电性
晶体管
无线电频率
跨导
高电子迁移率晶体管
电介质
电压
纳米技术
电气工程
图层（电子）
工程类
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| 其它 |
期刊：Advanced electronic materials 作者：Jeong Yong Yang; Min Jae Yeom; Jae Yong Lee; Kyusang Lee; Changkun Park; et al 出版日期：2022-04-10 |
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