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 The Transition of Threshold Voltage Shift of Al2O3/Si3N4 AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under Negative Gate Bias Stress From DC to AC 负栅极偏压下Al2O3/Si3N4 AlGaN/GaN MIS-HEMTs阈值电压漂移从直流到交流的转变
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符号
数学
算术
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ya-Huan Lee; Kai‐Chun Chang; Mao‐Chou Tai; Yu‐Xuan Wang; Hsin-Ni Lin; et al 出版日期：2024-01-22 |
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