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  Investigation of Trap Density Effect in Gate-All-Around Field Effect Transistors Using the Finite Element Method 全栅极场效应晶体管陷阱密度效应的有限元研究
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期刊：Electronics 作者：Maissa Belkhiria; Fatma Aouaini; Shatha A. Aldaghfag; Fraj Echouchene; Hafedh Belmabrouk 出版日期：2023-08-31 |
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