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MoS2transistors with 1-nanometer gate lengths 相关领域
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10.1126/science.aah4698
Doi
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期刊:Science 作者:Sujay B. Desai; Surabhi R. Madhvapathy; Angada B. Sachid; Juan Pablo Llinas; Qingxiao Wang; et al 出版日期:2016-10-06 |
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