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标题
Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics
相关领域
材料科学 碳化硅 MOSFET 光电子学 晶体管 功率MOSFET 电容 压力(语言学) 宽禁带半导体 兴奋剂 场效应晶体管 氧化物 可靠性(半导体) 栅氧化层 工程物理 电子工程 电压 电气工程 功率(物理) 工程类 物理 复合材料 语言学 哲学 电极 量子力学 冶金
网址
DOI
10.1109/TDMR.2020.2999029 doi
求助人
阿杰 在 2025-11-27 14:26:41 发布自广东,悬赏 10 积分
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