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A novel 1.2 kV 4 H-SiC charge sheet superjunction trench MOSFET: modeling, process design, and practicability 一种新型1.2 kV 4 H-SiC电荷片超结沟槽MOSFET:建模、工艺设计和实用性
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Rachita Mohapatra; Mohith Sai Bathina; Swadhin Kumar Jena; Sushrutha G Phani; Sayan Dey; et al 出版日期:2025-12-05 |
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