Study on The Degradations Produced by Different P-base Diffusion Temperatures on SGT MOSFET With Approximate Threshold Voltage

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标题	Study on The Degradations Produced by Different P-base Diffusion Temperatures on SGT MOSFET With Approximate Threshold Voltage
网址	https://doi.org/10.1145/3501409.3501451
DOI	10.1145/3501409.3501451 doi
其它	期刊：Proceedings of the 2021 5th International Conference on Electronic Information Technology and Computer Engineering 作者：Xinyu Li; Yunpeng Jia; Xintian Zhou; Yuanfu Zhao; Xingyu Fang; Zhonghan Deng 出版日期：2021
求助人	满意大门在 2026-01-30 15:37:07 发布自重庆，悬赏 10 积分
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