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 A Novel Trench IGBT With N-P-N Polysilicon Gate Structure for Low EMI Noise and High Robustness 一种具有低EMI噪声和高鲁棒性的N-P-N多晶硅栅极结构的新型沟槽IGBT
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yishang Zhao; Zehong Li; Jixian Zhu; Yang Yang; Kuangli Chen; et al 出版日期：2024-02-19 |
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