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 Structural origin of V-defects and correlation with localized excitonic centers in InGaN/GaN multiple quantum wells InGaN/GaN多量子阱中V缺陷的结构起源及其与局域激子中心的关联
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiang Wu; C. R. Elsass; A. C. Abare; M. Mack; S. Keller; et al 出版日期：1998-02-09 |
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