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标题
Improved Gate Reliability Normally-Off p-GaN/AlN/AlGaN/GaN HEMT With AlGaN Cap-Layer
利用AlGaN盖层提高栅极可靠性的常关p-GaN/AlN/AlGaN/GaN HEMT
相关领域
材料科学 光电子学 高电子迁移率晶体管 晶体管 击穿电压 电气工程 拓扑（电路） 物理 电压 工程类
网址
http://dx.doi.org/10.1109/led.2021.3109054
DOI
10.1109/led.2021.3109054 doi
求助人
gyh 在 2025-12-15 17:06:29 发布自江苏，悬赏 10 积分
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