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 N-Polar GaN MIS-HEMTs With a 12.1-W/mm Continuous-Wave Output Power Density at 4 GHz on Sapphire Substrate 相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Seshadri Kolluri; S. Keller; Steven P. DenBaars; Umesh K. Mishra 出版日期：2011-04-15 |
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