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[高分]
Evaluation of 4H‐SiC MOSFET transfer characteristics using machine‐learning techniques 利用机器学习技术评估4H-SiC MOSFET传输特性
相关领域
MOSFET
碳化硅
接口(物质)
材料科学
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硅
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期刊:Electronics Letters 作者:Johannes A. F. Lehmeyer; Timon Citak; Heiko B. Weber; M. Krieger 出版日期:2023-03-01 |
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