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标题
Mg2Si/Si heterojunction dopingless TFET with reduced random dopant fluctuations for low power applications
Mg2Si/Si异质结无掺杂TFET，用于低功率应用，具有减少的随机掺杂剂波动
相关领域
隧道场效应晶体管 掺杂剂 材料科学 光电子学 退火（玻璃） 晶体管 异质结 阈值电压 兴奋剂 电极 电压 场效应晶体管 制作 工作职能 阈下摆动 电气工程 纳米技术 物理 工程类 病理 复合材料 替代医学 医学 量子力学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1007/s10854-022-07860-3
DOI
10.1007/s10854-022-07860-3 doi
其它 期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics
作者：Minaxi Dassi; Jaya Madan; Rahul Pandey; Rajnish Sharma
出版日期：2022-02-15
求助人
追风筝的人 在 2025-12-10 21:39:35 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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