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 Capacitorless Two‐Transistor Dynamic Random‐Access Memory Cells Comprising Amorphous Indium–Tin–Gallium–Zinc Oxide Thin‐Film Transistors for the Multiply–Accumulate Operation 无电容双晶体管动态随机存取存储器单元，包括用于多重累积操作的非晶铟锡镓锌氧化物薄膜晶体管
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
晶体管
光电子学
德拉姆
动态随机存取存储器
电容
电气工程
纳米技术
半导体存储器
工程类
化学
图层（电子）
电压
电极
物理化学
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| 其它 |
期刊：Advanced materials and technologies 作者：Seungho Ryu; Mingu Kang; Kyoungah Cho; Sangsig Kim 出版日期：2024-05-09 |
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