Coexistence of analog and digital resistive switching behaviors in TiN/SiNx resistive random access memory device

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标题	Coexistence of analog and digital resistive switching behaviors in TiN/SiNx resistive random access memory device TiN/SiNx电阻随机存取存储器件中模拟和数字电阻开关行为的共存相关领域锡电阻随机存取存储器电阻式触摸屏材料科学光电子学随机存取存储器随机存取纳米技术计算机科学电气工程电压计算机网络冶金工程类计算机硬件
网址	https://doi.org/10.1063/5.0232217
DOI	10.1063/5.0232217 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Haixia Gao; Yang Zhao; Shilong Zhu; Xuan Qiu; Wei Wang; et al 出版日期：2024-11-18
求助人	momo 在 2024-12-17 22:12:27 发布自湖北，悬赏 10 积分
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