| 标题 |
 Homoepitaxial growth of (100) Si-doped β-Ga2O3 films via MOCVD （100）Si掺杂β-Ga2O3薄膜的MOCVD同向外延生长
相关领域
金属有机气相外延
材料科学
兴奋剂
欧姆接触
外延
化学气相沉积
电子迁移率
表面粗糙度
分析化学（期刊）
光电子学
纳米技术
化学
图层（电子）
复合材料
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Semiconductors 作者：Wenbo Tang; Xueli Han; Xiaodong Zhang; Botong Li; Yongjian Ma; et al 出版日期：2023-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
xjcy
Meyako
8R60d8
Zoo
CAOHOU
MMMMM
猪猪hero
小青椒
风清扬
fang
null
Virtual
子车茗
不配.
彳亍1117
一叶知秋
期待未来的自己
Singularity
科研助手6
忧心的曼凝
皖公网安备34019202002308
