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Impacts of band alignment change after interface nitridation on the leakage current of SiO2/4H-SiC (0001) and (11̄00) MOS capacitors
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网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac16b9
DOI
10.35848/1882-0786/ac16b9 doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Tae-Hyeon Kil; Atsushi Tamura; Sumera Shimizu; Koji Kita
出版日期：2021-07-21
求助人
lilijiang 在 2025-10-12 16:07:38 发布自海南，悬赏 10 积分
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