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 Impacts of band alignment change after interface nitridation on the leakage current of SiO2/4H-SiC (0001) and (11̄00) MOS capacitors 相关领域
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期刊：Applied Physics Express 作者：Tae-Hyeon Kil; Atsushi Tamura; Sumera Shimizu; Koji Kita 出版日期：2021-07-21 |
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