Control of Lateral Epitaxial Nanothin β-In2Se3 Grown by Molecular Beam Epitaxy: Implications in Fabricating of Next-Generation Transistors

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标题	Control of Lateral Epitaxial Nanothin β-In2Se3 Grown by Molecular Beam Epitaxy: Implications in Fabricating of Next-Generation Transistors 分子束外延生长的横向外延纳米薄β-In2Se3的控制：对下一代晶体管制造的意义相关领域分子束外延外延材料科学光电子学纳米技术图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1021/acsanm.4c03441
DOI	10.1021/acsanm.4c03441 doi
其它	期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Ssu-Kuan Wu; Hong-Jyun Wang; Sheng-Wei Hsiao; J. K. Huang; Wu-Ching Chou; et al 出版日期：2024-08-20
求助人	杨璐骏在 2025-08-12 19:31:38 发布自云南，悬赏 10 积分
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