| 标题 |
[高分]
 Fabrication of high-mobility Ge p-channel MOSFETs on Si substrates 硅衬底上高迁移率Ge p沟道MOSFET的制备
相关领域
制作
材料科学
MOSFET
光电子学
频道（广播）
锗
电子迁移率
外延
CMOS芯片
纳米技术
硅
电气工程
晶体管
图层（电子）
工程类
电压
医学
替代医学
病理
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期刊：Electronics Letters 作者：D. Reinking; M. Kammler; Norbert Hoffmann; M. Horn‐von Hoegen; K.R. Hofmann 出版日期：1999-01-01 |
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