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![]() 硅衬底上高迁移率Ge p沟道MOSFET的制备
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材料科学
MOSFET
光电子学
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期刊:Electronics Letters 作者:D. Reinking; M. Kammler; Norbert Hoffmann; M. Horn‐von Hoegen; K.R. Hofmann 出版日期:1999-01-01 |
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