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  From atomic-scale understanding to wafer-scale growth: Delta-doped AlN/GaN/AlN XHEMTs on single-crystal AlN by molecular beam epitaxy 相关领域
材料科学
分子束外延
光电子学
异质结
外延
薄脆饼
薄板电阻
透射电子显微镜
表面光洁度
表面粗糙度
散射
纳米技术
宽禁带半导体
扫描透射电子显微镜
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光子学
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氮化镓
阴极射线
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期刊：APL Materials 作者：Yu‐Hsin Chen; K. Shinohara; Jimy Encomendero; Naomi Pieczulewski; Kasey Hogan; et al 出版日期：2025-12-01 |
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