Impact of electric field reconstruction on gate oxide degradation in 1200 V 4H–SiC MOSFET induced by heavy ion radiation

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标题	Impact of electric field reconstruction on gate oxide degradation in 1200 V 4H–SiC MOSFET induced by heavy ion radiation
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/add1e7
DOI	10.1088/1361-6463/add1e7 doi
其它	期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：Yuhan Duan; Botao Sun; Lindong Ma; Pan Liu; Guangyin Lei; et al 出版日期：2025-04-30
求助人	Rubisco 在 2026-04-20 14:47:17 发布自北京，悬赏 10 积分
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