Gate oxide damage and synergistic effect on the breakdown voltage under reverse bias stress for SiC MOSFET

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标题	Gate oxide damage and synergistic effect on the breakdown voltage under reverse bias stress for SiC MOSFET
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-4926/2511002...
DOI	10.1088/1674-4926/25110026 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Fanpeng Zeng; Yingxin Cui; Zhixin Liu; Zicheng Lu; Lingling Lai; et al 出版日期：2026-04-29
求助人	翟肇永在 2026-07-22 12:36:44 发布自天津，悬赏 10 积分
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