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 In-situ sulfur anion doping for defect passivation and stability enhancement in ZnSnO thin-film transistors 相关领域
材料科学
阈值电压
光电子学
兴奋剂
氧化物
硫黄
薄膜晶体管
钝化
二极管
晶体管
离子
热稳定性
无机化学
场效应晶体管
金属
泄漏（经济）
锌
可靠性（半导体）
阈下斜率
阈下传导
电压
氧气
带隙
热失控
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| 其它 |
期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：Lian Cheng; Mengyang Liu; Chuanxin Huang; Giyosiddin Khaydarovich Mavlonov; Sobirjon Isamov; et al 出版日期：2025-12-24 |
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