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 TSV process optimization for reduced device impact on 28nm CMOS 相关领域
通过硅通孔
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CMOS芯片
泄漏（经济）
材料科学
三维集成电路
工艺优化
电子工程
压力（语言学）
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硅
功率（物理）
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工程类
集成电路
量子力学
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语言学
物理
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期刊：Symposium on VLSI Technology 作者：C. X. Yu; C. Y. Chang; Haiyan Wang; J. F. Chang; L. Q. Huang; et al 出版日期：2011-06-14 |
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