| 标题 |
 Characterization of physical-chemical drivers of Hg1-xGdxTe etch rate using time of flight—Secondary ion mass spectrometry and optical interferometry 利用飞行时间-二次离子质谱和光学干涉法表征Hg1-xGdxTe蚀刻速率的物理化学驱动因素
相关领域
分析化学（期刊）
质谱法
离子
二次离子质谱法
化学
飞行时间
材料科学
离子迁移光谱法
光谱学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Electronic Materials 作者：R. Olshove; Gerald A. Garwood; E. Pettijohn; R. M. Emerson; F. Lua; et al 出版日期：2006-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
SYLH
YamDaamCaa
昏睡的蟠桃
pluto
ED
smottom
热心市民小红花
Singularity
难过的谷芹
yar
猪猪hero
bc
豆子
eric888
卡卡西
眼睛大雨筠
pcr163
shinysparrow
挖掘机
916
皖公网安备34019202002308
