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Valence-band engineering of robust p -type Ni x Ga1− x O enabling Ga2O3 p–n bipolar junction |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Z.H. Li; Yurong Luo; N. Sun; Xiong Jing Chen; Songhao Gu; et al 出版日期:2026-07-13 |
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(2025-6-4)