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 Demonstration of 1.2-kV Rated Novel Power Poly-Si/4H-SiC Heterojunction Diode With Record Low Forward Voltage Drop 演示1.2 kV额定新型功率Poly-Si/4H-SiC异质结二极管，具有创纪录的低正向压降
相关领域
光电子学
材料科学
二极管
电压降
电压
异质结
下降（电信）
碳化硅
PIN二极管
低压
硅
电气工程
工程类
冶金
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hao Fu; Xiangrui Fan; Zilong Wu; Jiameng Sun; Xinyu Zhang; et al 出版日期：2024-11-04 |
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