Demonstration of 1.2-kV Rated Novel Power Poly-Si/4H-SiC Heterojunction Diode With Record Low Forward Voltage Drop

光电子学 材料科学 二极管 电压降 电压 异质结 下降(电信) 碳化硅 PIN二极管 低压 电气工程 工程类 冶金
作者
Hao Fu,Xiangrui Fan,Zilong Wu,Jiameng Sun,Xinyu Zhang,Zhaoxiang Wei,Guozhen Zheng,Xiaolei Yang,Shaohong Li,Runhua Huang,Song Bai,Jiaxing Wei,Siyang Liu,Weifeng Sun
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (12): 8031-8036 被引量:2
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3482250
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