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Effect of the Surface Activation Parameter on the Fabrication Process of 4H–SiC Film on SiO2/Si Using the Crystal‐Ion‐Slicing Technique 表面活化参数对SiO2/Si表面4H-SiC薄膜制备过程的影响
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Dailei Zhu; Wenbo Luo; Kaibiao Wang; Jintao Xu; Shitian Huang; et al 出版日期:2022-11-01 |
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