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标题
Effect of the Surface Activation Parameter on the Fabrication Process of 4H–SiC Film on SiO2/Si Using the Crystal‐Ion‐Slicing Technique
表面活化参数对SiO2/Si表面4H-SiC薄膜制备过程的影响
相关领域
材料科学 碳化硅 制作 基质(水族馆) 光电子学 Crystal(编程语言) 切片 氮化镓 直接结合 复合材料 纳米技术 图层(电子) 冶金 计算机科学 病理 万维网 程序设计语言 替代医学 地质学 海洋学 医学
网址
DOI
10.1002/pssa.202200028 doi
其它 期刊:physica status solidi (a)
作者:Dailei Zhu; Wenbo Luo; Kaibiao Wang; Jintao Xu; Shitian Huang; et al
出版日期:2022-11-01
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Mu5k 在 2025-12-06 11:48:54 发布自上海,悬赏 10 积分
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