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  Modelling of impedance dispersion in lateral β-Ga2O3 MOSFETs due to parallel conductive Si-accumulation layer 相关领域
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期刊：Applied Physics Express 作者：Zequan Chen; Abhishek Mishra; Aditya K. Bhat; Matthew D. Smith; Michael J. Uren; et al 出版日期：2023-04-01 |
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