| 标题 |
 Control of the conductivity of Si‐doped β‐Ga2O3 thin films via growth temperature and pressure 相关领域
分压
薄膜
材料科学
电导率
结晶度
表面粗糙度
分析化学（期刊）
氧气
脉冲激光沉积
蓝宝石
兴奋剂
矿物学
纳米技术
复合材料
光电子学
光学
化学
激光器
物理
物理化学
有机化学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：physica status solidi (a) 作者：Stefan Müller; Holger von Wenckstern; Daniel Splith; Florian Schmidt; Marius Grundmann 出版日期：2013-09-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
null
Criminology34
MchemG
yyds
ceeray23
andrele
辉辉
叶上
殷勤的紫槐
无极微光
YifanWang
叽了咕噜
笔记本
tuanheqi
荼黎
mmyhn
皮皮
精明浩然
Tourist
Hayat
子车茗
什么时候能毕业
Alex
风清扬
皖公网安备34019202002308
