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Simulation study of a novel vertical GaN-based FS-IGBT
一种新型垂直GaN基FS-IGBT的仿真研究
相关领域
绝缘栅双极晶体管
材料科学
光电子学
饱和电流
电压
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击穿电压
晶体管
纳秒
电场
双极结晶体管
电气工程
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光学
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Kai Wang; Shanguan Shaofei; Peng Zhang; Shuang Liu; Mengdi Li; et al 出版日期:2022-08-08 |
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