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Field p-Channel Transistors Based on GaN/AlN/GaN Heterostructures on a Silicon Substrate 相关领域
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材料科学
异质结
光电子学
硅
场效应晶体管
领域(数学)
晶体管
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期刊:Semiconductors 作者:M. N. Zhuravlev; В. И. Егоркин 出版日期:2024-05-01 |
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