Field p-Channel Transistors Based on GaN/AlN/GaN Heterostructures on a Silicon Substrate

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作者
M. N. Zhuravlev,В. И. Егоркин
出处
期刊:Semiconductors [Pleiades Publishing]
卷期号:58 (5): 479-484 被引量:4
标识
DOI:10.1134/s1063782624050178
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