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Effect of Substrate Bias in Ohmic p-Gate GaN-HEMTs on Unclamped Inductive Switching Capability 欧姆p栅GaN-HEMTs衬底偏压对非箝位电感开关性能的影响
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Wataru Saito; Shin-Ichi Nishizawa 出版日期:2025 |
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(2025-6-4)