Effect of Substrate Bias in Ohmic p-Gate GaN-HEMTs on Unclamped Inductive Switching Capability

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标题	Effect of Substrate Bias in Ohmic p-Gate GaN-HEMTs on Unclamped Inductive Switching Capability 欧姆p栅GaN-HEMTs衬底偏压对非箝位电感开关性能的影响
网址	https://doi.org/10.1109/TED.2025.3597272
DOI	10.1109/TED.2025.3597272 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Wataru Saito; Shin-Ichi Nishizawa 出版日期：2025
求助人	ppboyindream 在 2025-08-15 14:11:43 发布自上海，悬赏 10 积分
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