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标题
Effect of Substrate Bias in Ohmic p-Gate GaN-HEMTs on Unclamped Inductive Switching Capability
欧姆p栅GaN-HEMTs衬底偏压对非箝位电感开关性能的影响
网址
DOI
10.1109/TED.2025.3597272 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Wataru Saito; Shin-Ichi Nishizawa
出版日期:2025
求助人
ppboyindream 在 2025-08-15 14:11:43 发布自上海,悬赏 10 积分
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