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 Comparative Study of Single and Double Gate All Around Cylindrical FET Structures for High-K Dielectric Materials 高K介质材料单栅极和双栅极全圆柱场效应晶体管结构的比较研究
相关领域
材料科学
高-κ电介质
电介质
双闸门
栅极电介质
光电子学
电气工程
晶体管
MOSFET
电压
工程类
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| 其它 |
期刊：Transactions on Electrical and Electronic Materials 作者：Rajveer Kaur; Balwinder Singh 出版日期：2020-11-10 |
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