Heterostructure WSe2−Ga2O3 Junction Field-Effect Transistor for Low-Dimensional High-Power Electronics

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标题	Heterostructure WSe2−Ga2O3 Junction Field-Effect Transistor for Low-Dimensional High-Power Electronics 相关领域材料科学异质结光电子学场效应晶体管晶体管数码产品纳米技术电压电气工程工程类
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.8b07030
DOI	10.1021/acsami.8b07030 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Janghyuk Kim; Michael A. Mastro; Marko J. Tadjer; Jihyun Kim 出版日期：2018-08-10
求助人	长理物电强在 2025-10-28 16:06:27 发布自湖南，悬赏 10 积分
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