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 Two-dimensional electron gas isolation mechanism in Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructure by low-energy Ar, C, Fe ion implantation 低能Ar，C，Fe离子注入Al0.2Ga 0.8 N/GaN异质结构二维电子气隔离机制
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期刊：Applied Surface Science 作者：Antonino Scandurra; Paolo Ragonese; Cristiano Calabretta; Khadisha Zahra; Liam Soomary; et al 出版日期：2024-08-07 |
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不驯
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