Analytical model and simulation study of a novel enhancement-mode Ga2O3 MISFET realized by p-GaN gate

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标题	Analytical model and simulation study of a novel enhancement-mode Ga2O3 MISFET realized by p-GaN gate 相关领域错配材料科学光电子学场效应晶体管兴奋剂工艺CAD 击穿电压沟槽晶体管电气工程电压图层（电子）纳米技术化学工程类生物化学计算机辅助设计
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/acdab6
DOI	10.1088/1361-6641/acdab6 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Bo Yi; Song Zhang; ZhiNing Zhang; JunJi Cheng; HaiMeng Huang; et al 出版日期：2023-06-02
求助人	小雨在 2025-10-31 18:59:11 发布自福建，悬赏 10 积分
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