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Modeling on drain current of high-k gate dielectric fully-depleted nanoscale germanium-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
相关领域
材料科学 跨导 信道长度调制 排水诱导屏障降低 场效应晶体管 电介质 光电子学 晶体管 阈值电压 饱和速度 栅极电介质 锗 栅氧化层 饱和（图论） 半导体 氧化物 电压 电气工程 硅 冶金 工程类 数学 组合数学
网址
https://doi.org/10.7498/aps.63.237304
DOI
10.7498/aps.63.237304 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Bai Yu-Rong; Xu Jing-Ping; Lu Liu; Fan Min-Min; Huang Yong; et al
出版日期：2014-01-01
求助人
阳光柠檬 在 2025-10-10 17:19:36 发布自上海，悬赏 10 积分
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