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 Modeling on drain current of high-k gate dielectric fully-depleted nanoscale germanium-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 相关领域
材料科学
跨导
信道长度调制
排水诱导屏障降低
场效应晶体管
电介质
光电子学
晶体管
阈值电压
饱和速度
栅极电介质
锗
栅氧化层
饱和（图论）
半导体
氧化物
电压
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Bai Yu-Rong; Xu Jing-Ping; Lu Liu; Fan Min-Min; Huang Yong; et al 出版日期：2014-01-01 |
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