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标题
Deep Insight into the Noise Behavior of SiGe Source Based Epitaxial Layer Tunnel Field Effect Transistor
深入了解SiGe源外延层隧道场效应晶体管的噪声行为
相关领域
材料科学 外延 图层（电子） 光电子学 场效应晶体管 噪音（视频） 晶体管 工程物理 领域（数学） 纳米技术 电气工程 计算机科学 工程类 人工智能 电压 图像（数学） 纯数学 数学
网址
https://doi.org/10.1007/s12633-022-02031-9
DOI
10.1007/s12633-022-02031-9 doi
其它 期刊：Silicon
作者：Radhe Gobinda Debnath; Srimanta Baishya
出版日期：2022-07-28
求助人
amor 在 2025-08-29 21:16:13 发布，悬赏 10 积分
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