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  TCAD modeling and simulation of self-limiting oxide growth and boron segregation during vertical silicon nanowire processing 垂直硅纳米线加工过程中自限性氧化物生长和硼偏析的TCAD建模与仿真
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Chiara Rossi; Jonas Müller; P. Pichler; Paweł Piotr Michałowski; Guilhem Larrieu 出版日期：2024-02-20 |
| 求助人 |
丸子
在
2025-08-30 20:07:28 发布，悬赏 10 积分
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