| 标题 |
 High-quality heteroepitaxy of ε-Ga2O3 films on 4H-SiC substrates grown via MOCVD 相关领域
金属有机气相外延
材料科学
质量（理念）
光电子学
纳米技术
外延
图层（电子）
物理
量子力学
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：CrystEngComm 作者：Shujian Chen; Zimin Chen; Weiqu Chen; Paiwen Fang; Zesheng Lv; et al 出版日期：2024-05-25 |
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