Pseudomorphic n-InGaP/InGaAs/GaAs grown by MOVPE for HEMT LSIs

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标题	Pseudomorphic n-InGaP/InGaAs/GaAs grown by MOVPE for HEMT LSIs
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0022024891...
DOI	10.1016/0022-0248(91)90584-r doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：M. Takikawa; T. Ohori; M. Takechi; M. Suzuki; J. Komeno 出版日期：2002-10-17
求助人	刘禹杉在 2026-06-08 22:59:24 发布自湖北，悬赏 10 积分
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