标题 |
A reconfigurable binary/ternary logic conversion-in-memory based on drain-aligned floating-gate heterojunction transistors
基于漏极对准浮栅异质结晶体管的可重构二/三进制逻辑存储器转换
相关领域
三元运算
异质结
二进制数
逻辑门
光电子学
晶体管
材料科学
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其它 |
期刊:Nature communications 作者:Chungryeol Lee; Changhyeon Lee; Seung Min Lee; Junhwan Choi; Hocheon Yoo; et al 出版日期:2023-06-23 |
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