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 Study on the interfaces between Si and SiGe in the epitaxial in-situ Boron-Doped SiGe/Si layers treated with H or Cl H或Cl处理的原位硼掺杂SiGe/Si外延层中Si与SiGe界面的研究
相关领域
材料科学
外延
原位
硼
兴奋剂
硅
硅锗
光电子学
纳米技术
图层（电子）
化学
有机化学
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| 其它 |
期刊：Applied Surface Science 作者：Seonwoong Jung; Dongmin Yoon; Seokmin Oh; Hyerin Shin; Jung-Woo Kim; et al 出版日期：2025-01-01 |
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