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标题
Improved Performance of HfxZnyO‐Based RRAM and its Switching Characteristics down to 4 K Temperature
HfxZnyO基RRAM的性能改进及其在4 K温度下的开关特性
相关领域
电阻随机存取存储器 材料科学 光电子学 兴奋剂 电压 电子工程 纳米技术 电气工程 工程类
网址
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/aelm.2022012...
DOI
10.1002/aelm.202201250 doi
其它 期刊：Advanced Electronic Materials
作者：Jun Lan; Zhixiong Li; Zhenjie Chen; Quanzhou Zhu; Wenhui Wang; et al
出版日期：2023-01-29
求助人
小杜 在 2025-07-01 14:43:51 发布自安徽，悬赏 10 积分
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