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Negative capacitance overcomes Schottky-gate limits in GaN high-electron-mobility transistors |
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期刊:Science 作者:Asir Intisar Khan; Jeong-Kyu Kim; Urmita Sikder; Koushik Das; Thomas Andres Rodriguez; et al 出版日期:2025-07-10 |
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(2025-6-4)